美國內(nèi)布拉斯加大學林肯分校的一個研究團隊利用可逆法實現(xiàn)了對納米材料電流屬性的修改，未來可以將多個電子技術(shù)的特性融合集成在一個單獨的電子器件上。
       該技術(shù)將實現(xiàn)2D材料由數(shù)字處理向數(shù)據(jù)存儲并最終向光觸設(shè)備轉(zhuǎn)化發(fā)展；而該材料的多功能性可以將多個電子設(shè)備按比例縮小并集成融合在一個設(shè)備上。
       Xia Hong及其同事利用一個原子厚度的二硫化鉬（MoS2）薄片來進行試驗，MoS2作為一種化合物，其導電性能與硅的性能類似。研究人員首先在MoS2上覆蓋一層具有鐵電性的聚合物；通過對聚合物施以一個電場，它可以逆轉(zhuǎn)正負電荷的排列或極化。
       工作人員發(fā)現(xiàn)，通過對聚合物表面有選擇性地施以電壓，可以控制聚合物的極化方向，進而對MoS2的電子特性進行重新配置。
       當聚合物的正負電荷對著MoS2層或者反向遠離MoS2層而排列時，MoS2薄片的電流在兩個方向上都能自由流動，且等量于所施加的電壓。在此狀態(tài)下，MoS2具有晶體管的作用，這就是二進制語言1s和0s形式所表示的用以釋放或抑制電流的數(shù)字處理信號元件。
       當研究人員以不同的方式對聚合物進行極化——創(chuàng)建出兩個垂直方向但相對排列的極化域時，MoS2層的性能發(fā)生了變化；當施以等量電壓和不同極性時，MoS2層變成了一個二極管，僅允許電流以一個方向流經(jīng)，而不能以另外一個方向運動。
       Hong介紹到：即便在移除電壓的情況下，MoS2也能保持其晶體管和二極管的性能。Hong將這種低電壓要求的技術(shù)品質(zhì)稱之為“非常有前景的低壓技術(shù)設(shè)備”。這種原子厚度尺寸的半導體和鐵電聚合物的機械性能非常適宜于柔性可穿戴電子產(chǎn)品。
       該技術(shù)的可逆性有助于改善半導體加工處理的傳統(tǒng)古老辦法，即摻雜；摻雜是一種賦予半導體設(shè)計功能的化學工藝。
       “該技術(shù)不需要進行任何化學改變，只需要對材料功能進行電學方面的重新編程即可”，Hong介紹到。
       該研究發(fā)表在期刊 Physical Review上。（編譯：中國超硬材料網(wǎng)）