2016年5月22日-26日，由國(guó)際NDNC執(zhí)行委員會(huì)、西安交通大學(xué)、中國(guó)真空學(xué)會(huì)、陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、陜西省真空學(xué)會(huì)、單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國(guó)際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦，西安交通大學(xué)、陜西省真空學(xué)會(huì)、西安電子科技大學(xué)、蘇州大學(xué)和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國(guó)際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同承辦第10屆新型金剛石與納米碳材料國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議(NDNC2016)在西安召開(kāi)。
       有來(lái)自不同國(guó)家和地區(qū)的350余位專(zhuān)家和學(xué)者參加此次國(guó)際研討會(huì)。此次國(guó)際研討會(huì)由光電子學(xué)專(zhuān)家侯洵院士、半導(dǎo)體專(zhuān)家王占國(guó)院士、固體潤(rùn)滑專(zhuān)家薛群基院士、超硬材料專(zhuān)家鄒廣田院士、寬禁帶半導(dǎo)體專(zhuān)家郝躍院士和材料化學(xué)和物理專(zhuān)家李述湯院士擔(dān)任大會(huì)名譽(yù)主席。大會(huì)主席由西安交通大學(xué)國(guó)家“千人計(jì)劃”特聘專(zhuān)家、陜西省真空學(xué)會(huì)常務(wù)理事長(zhǎng)王宏興教授擔(dān)任。國(guó)際金剛石專(zhuān)家、美國(guó)科學(xué)院、美國(guó)工程院、美國(guó)藝術(shù)與科學(xué)院“三院”院士David Awschalom教授給大家展示了其研究團(tuán)隊(duì)在金剛石自旋半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究成果。西安交通大學(xué)校長(zhǎng)王樹(shù)國(guó)出席并致歡迎詞。
       新型金剛石與納米碳材料國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議(NDNC)是由兩個(gè)的國(guó)際會(huì)議(應(yīng)用金剛石會(huì)議ADC與金剛石新科技國(guó)際研討會(huì)ICNDST)合并而成，于2006年在日本正式召開(kāi)第一屆會(huì)議。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展，該研討會(huì)已經(jīng)發(fā)展成為國(guó)際金剛石與碳材料領(lǐng)域的級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議之一。本次會(huì)議會(huì)期為四天，共安排1場(chǎng)諾貝爾獎(jiǎng)獲得者的大會(huì)特邀(Penary)報(bào)告，6場(chǎng)大會(huì)邀請(qǐng)(Keynote)報(bào)告，44個(gè)左右的分會(huì)邀請(qǐng)(Invited Speaker)報(bào)告，132個(gè)口頭學(xué)術(shù)報(bào)告(Oral)和256個(gè)展板報(bào)告(Poster)。此外，十多家公司與儀器廠商同時(shí)舉辦相關(guān)展示。
       超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石集電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、聲學(xué)、機(jī)械和熱學(xué)等優(yōu)異特性于一體，在高溫、高效、超大功率微波毫米波電子器件，電力電子器件，生物傳感器，光電探測(cè)與成像，粒子探測(cè)與成像，航空航天，微機(jī)械，量子通信與成像單光子源等系統(tǒng)方面有著極其重要的應(yīng)用前景，被業(yè)界譽(yù)為“半導(dǎo)體”。金剛石電子器件相比其他半導(dǎo)體器件還具有體積小、集成度高和無(wú)需制冷的優(yōu)勢(shì)。在節(jié)能減排、打造綠色地球方面將發(fā)揮其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，將引發(fā)新一輪半導(dǎo)體技術(shù)的革命。金剛石基超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的研究和開(kāi)發(fā)已成為當(dāng)今世界工業(yè)和科技強(qiáng)國(guó)競(jìng)相占領(lǐng)的高科技制高點(diǎn)，是半導(dǎo)體科學(xué)、材料科學(xué)、高溫電子學(xué)、兆瓦級(jí)固態(tài)電子學(xué)、超大功率密度微波、毫米波電子學(xué)的前沿研究領(lǐng)域。
       此次會(huì)議為單晶金剛石材料、電子器件、金剛石單晶生長(zhǎng)設(shè)備等相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家、學(xué)者、技術(shù)人員及企業(yè)家等提供了學(xué)術(shù)交流平臺(tái)，加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外同行及企業(yè)家之間的相互了解和合作，共同促進(jìn)國(guó)際單晶金剛石材料及其電子器件行業(yè)及相關(guān)行業(yè)的蓬勃發(fā)展。通過(guò)國(guó)內(nèi)外各相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家學(xué)者的交流，展示了世界新型超寬禁帶半導(dǎo)體及其新型碳材料研究領(lǐng)域的進(jìn)展，新的實(shí)驗(yàn)方法和理論，進(jìn)一步凝煉關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題，歸納基本規(guī)律，提供理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)方法，全面推動(dòng)以先進(jìn)碳材料為基礎(chǔ)的跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的深入實(shí)質(zhì)性的合作，促進(jìn)我國(guó)單晶金剛石半導(dǎo)體材料及其電子器件研究平臺(tái)的建設(shè)，并且通過(guò)共同努力，推動(dòng)國(guó)際單晶金剛石及其電子器件研究的進(jìn)步和發(fā)展，拓展該類(lèi)先進(jìn)電子材料與器件的應(yīng)用與成果轉(zhuǎn)化。
       與會(huì)專(zhuān)家一致認(rèn)為單晶金剛石要步入半導(dǎo)體大門(mén)，應(yīng)重點(diǎn)突破高質(zhì)量大面積單晶金剛石晶圓和電子器件級(jí)單晶金剛石薄膜的生長(zhǎng)技術(shù)，這是單晶金剛石摻雜和走向應(yīng)用的重要基礎(chǔ)。此外，單晶金剛石的缺陷特性、摻雜、載流子輸運(yùn)調(diào)控及歐姆接觸和肖特基接觸也是單晶金剛石正式邁入半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的準(zhǔn)入證。同時(shí)，應(yīng)將強(qiáng)金剛石與其他半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)和異構(gòu)結(jié)構(gòu)方面的研究，開(kāi)辟金剛石基半導(dǎo)體在能帶工程和量子器件領(lǐng)域的新應(yīng)用。