申請人:史密斯國際有限公司
發(fā)明人:Y·鮑 R·K·艾爾
摘要:一種形成切割元件的方法可包括:使至少含有包含金剛石粉末的容器和一體積的高熔融溫度的非反應性材料的第一壓機經(jīng)受第一高壓高溫燒結(jié)條件,以形成包括由結(jié)合在一起的金剛石晶粒以及位于結(jié)合在一起的金剛石晶粒之間的多個間隙空間構(gòu)成的金剛石基質(zhì)的燒結(jié)的多晶金剛石片;以及使含有所述燒結(jié)的多晶金剛石片和基體的第二壓機經(jīng)受第二高壓高溫條件,從而將所述片附接到基體,以形成具有位于基體上的多晶金剛石層的切割元件。

2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,在使第二壓機經(jīng)受第二高壓高溫條件的過程中,所述片與基體的附接使得由所述基體提供的浸滲劑材料滲透到所述多晶金剛石片內(nèi)的間隙空間中。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,進一步包括:處理所述切割元件,以移除駐留在所述多晶金剛石層內(nèi)的間隙空間中的至少一部分浸滲劑材料。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述高熔融溫度的非反應性材料是強背材料。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述強背材料設置于包含金剛石粉末的罐體外且鄰近所述罐體。
6.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述強背材料是過渡金屬碳化物材料。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一壓機中裝載有多個包含金剛石粉末的容器。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二高壓高溫條件的壓力高于所述第一高壓高溫條件的壓力。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,第一高壓高溫燒結(jié)條件及第二高壓高溫燒結(jié)條件包括高達2000℃的溫度和高達8GPa的壓力。
10.一種形成切割元件的方法,包括:在耐熔金屬容器中放置第一組合,所述第一組合包括鄰近于獨立的催化劑材料層的一體積的金剛石粉末;將含有所述第一組合的耐熔金屬容器與鄰近于所述耐熔金屬容器的一體積的高熔融溫度的非反應性材料相組合,以形成第二組合;使第二組合經(jīng)受第一高壓高溫燒結(jié)條件,以形成包括由結(jié)合在一起的金剛石晶粒以及位于結(jié)合在一起的金剛石晶粒之間的多個間隙空間構(gòu)成的金剛石基質(zhì)的燒結(jié)的多晶金剛石片,所述多晶金剛石片包括催化劑材料;使所述燒結(jié)的多晶金剛石片經(jīng)受第一浸濾過程,使得所述催化劑材料基本上被從多晶金剛石片移除,以形成基本上不含催化劑材料的浸濾后的多晶金剛石片;以及使浸濾后的多晶金剛石片和基體經(jīng)受第二高壓高溫條件,使得所述片附接到基體,以形成具有位于基體上的多晶金剛石層的切割元件。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,在將所述片附接到所述基體的過程中,由所述基體提供的浸滲劑材料滲透到所述多晶金剛石片內(nèi)的間隙空間中。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述切割元件經(jīng)受第二浸濾過程,以從所述多晶金剛石層內(nèi)的間隙空間移除至少一部分浸滲劑材料。
13.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述催化劑材料以金屬箔或金屬盤的形式提供。
14.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述催化劑材料是第VIII族的金屬。
15.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第一高壓高溫燒結(jié)條件足以使得所述催化劑材料熔化并滲透到所述體積的金剛石粉末中。
16.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,催化劑材料層包括密度為30-100%的催化劑。
17.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第二高壓高溫條件的壓力高于第一高壓高溫條件的壓力。
18.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,第一高壓高溫燒結(jié)條件及第二高壓高溫燒結(jié)條件包括高達2000℃的溫度和高達8GPa的壓力。
19.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,高熔融溫度的非反應性材料是強背材料。
20.如權(quán)利要求19所述的方法,其中,所述強背材料是過渡金屬碳化物材料。