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官方微信摘要 名稱碳化硅場(chǎng)控雙極型開關(guān)公開號(hào)1254442公開日2000.05.24主分類號(hào)H01L29/739
| 名稱 | 碳化硅場(chǎng)控雙極型開關(guān) | ||
| 公開號(hào) | 1254442 | 公開日 | 2000.05.24 |
| 主分類號(hào) | H01L29/739 | 分類號(hào) | H01L29/739;H01L29/24 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98804658.X | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.03.20 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.4.30[33]US[31]08/846,286 | |
| 申請(qǐng)人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | R·辛格; J·W·帕爾穆爾 | 國際申請(qǐng) | PCT.US98/05487 1998.3.20 |
| 國際公布 | WO98.49731 英 1998.11.5 | 進(jìn)入國家日期 | 1999.10.29 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 鄒光新; 張志醒 |
| 摘要 | 場(chǎng)控雙極性開關(guān)具有帶有上表面和下表面的第一導(dǎo)電類型的單晶碳化硅體材料襯底。第二導(dǎo)電類型碳化硅的第二外延層制作在襯底的上表面上。第二導(dǎo)電類型碳化硅的第—外延層制作在碳化硅的第二外延層上。多個(gè)第三導(dǎo)電類型碳化硅區(qū)域制作在第二外延層中以便在第二外延層中形成柵極柵格。第二導(dǎo)電類型碳化硅的第三外延層制作在第二外延層上，第二導(dǎo)電類型碳化硅的第四外延層制作在第三外延層上。第四外延層的載流子濃度高于第一、第二和第三外延層。第一歐姆接觸制作在第四外延層上，第二歐姆接觸制作在襯底的下表面上。歐姆柵極接觸連接到柵極柵格，以便在向歐姆柵極接觸施加偏置電壓時(shí)夾斷第一歐姆接觸和第二歐姆接觸之間的電流。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)